不同的浮栅MOS管的编程信息擦除方法不同，下列说法不正确的是（）

正确答案是B。解析：本题考查浮栅MOS管的类型及其编程信息擦除方法。浮栅MOS管主要分为三种：浮栅雪崩注入MOS管（常用于EPROM）、浮栅隧道氧化层MOS管（常用于EEPROM）以及快闪栅MOS管（Flash）。A选项，注栅注入MOS管（即浮栅雪崩注入MOS管）的信息通常通过紫外光照射或X射线擦除，这是因为其浮栅被氧化层包围，需高能光子提供能量使电荷逸散，说法正确。B选项，快闪栅MOS管（Flash）采用电擦除方式，且具有块擦除、快速编程等优点，广泛应用于固态硬盘、U盘等领域，并非“开关比较复杂，较少商用”，实际上Flash极度商用，该说法错误。C选项，快闪栅MOS管的信息确实可用电擦除，其通过隧道效应或热电子注入实现编程，擦除时施加反向电压使电荷返回衬底，说法正确。D选项，浮栅隧道氧化层MOS管（EEPROM）正是利用隧道效应进行电擦除，通过控制栅极电压改变隧道氧化层电场，使浮栅电荷泄放，说法正确。因此，不正确的选项是B。