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Which is wrong for following statements about DFT?

A. Boundary Scan can be used for chip IO DC characteristics testing. B. SRAM and ROM can be tested though MBIST techniques. C. SRAM and ROM can be repaired though MBISR techniques. D. SCAN can be split into two test stage SCAN SHIFT and SCAN CAPTURE.
单选题 中等 2024秋招笔试真题Online Assessment芯原单选题

参考答案

C。选项C错误。MBISR(Memory Built-In Self-Repair)技术通常用于可修复的存储器,如SRAM,通过冗余行/列替换失效单元。但ROM(只读存储器)在制造后内容固定且不可改写,无法通过动态修复方式(如行/列替换)进行修复。因此,ROM不能通过MBISR修复。选项A正确:边界扫描(Boundary Scan)基于JTAG标准,可用于测试芯片IO的直流特性,如驱动能力、上拉/下拉电阻等。选项B正确:MBIST(Memory Built-In Self-Test)可测试SRAM和ROM的功能正确性,通过写入和读取测试向量验证存储单元。选项D正确:SCAN(扫描链测试)通常分为两个主要阶段:SCAN SHIFT(移位阶段,将测试向量加载到扫描链)和SCAN CAPTURE(捕获阶段,捕获电路响应并移出结果)。因此,错误的陈述是C。

涉及知识点

  • 可测试性设计(DFT)概念
  • 边界扫描(Boundary Scan)应用
  • 存储器内建自测试(MBIST)
  • 存储器内建自修复(MBISR)局限
  • 扫描链(SCAN)测试阶段
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